【??行業(yè)前瞻??】第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大，擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，在高頻、高壓，高溫等工作場(chǎng)景中，有易散熱，小體積、低耗、高功率等優(yōu)勢(shì)。碳化硅已成為目前應(yīng)用廣、市占率能高的第三代率導(dǎo)體材料，碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)10億美元．碳化硅器件在電動(dòng)汽車、光電源、軌道交通等領(lǐng)域均存在廣泛應(yīng)用前景。碳化硅市場(chǎng)快速増長(zhǎng)的兩大驅(qū)動(dòng)力：新能源汽車加速滲透，800V高壓快充平臺(tái)加速布局，拉動(dòng)車用碳化硅器件需求，測(cè)算2025年新能源車車用6英寸碳化硅晶圓市場(chǎng)空間達(dá)143億元。②風(fēng)光儲(chǔ)拉動(dòng)碳化硅器件需求，測(cè)算2025年風(fēng)光儲(chǔ)新増裝機(jī)量將達(dá)687GWh，帶來(lái)44.5億元6英寸碳化硅晶園需求量的增長(zhǎng)。從供給端來(lái)看，碳化硅襯底、外延材料制作難度大，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能受限，廠商持續(xù)投入，但仍存在巨大供給缺口． Si C外延設(shè)備仍呈現(xiàn)四大龍頭壟斷格局，國(guó)內(nèi)廠商緊追國(guó)際前沿加速切入外延晶片生產(chǎn)領(lǐng)域，已具備較高生產(chǎn)水平并逐漸接近海外領(lǐng)先水平。新一代半導(dǎo)體材料促使全新的封裝工藝產(chǎn)生，有望帶來(lái)價(jià)值量的提升． SiC 功率器件時(shí)代來(lái)臨，國(guó)內(nèi)企業(yè)緊握超車機(jī)會(huì)， SiC 器件和 S 器件價(jià)差不斷縮小，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程有望進(jìn)一步提速。關(guān)注碳化硅領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資機(jī)會(huì)，建議關(guān)注三安光電（碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈 IDM ，配合國(guó)際大客戶驗(yàn)證相關(guān)產(chǎn)品）、斯達(dá)半導(dǎo)（ SiC 車規(guī)主驅(qū)模塊性能領(lǐng)先，獲得多家車企客戶定點(diǎn)）、天岳先進(jìn)（ SiC 襯底獲得大規(guī)模訂單，有望進(jìn)入車規(guī)應(yīng)用）、時(shí)代電氣（高壓電驅(qū)平臺(tái)突破，大功率碳化硅主驅(qū)產(chǎn)品 C - Power 發(fā)布）、士蘭微（ IDM 龍頭廠商，快速上量 SiC 芯片生產(chǎn)線）、東尼電子（ SiC 襯底產(chǎn)能突破，加速國(guó)產(chǎn)替代）、露笑科技（ SiC 襯底產(chǎn)能加速擴(kuò)張）、北方華創(chuàng)（ SiC 長(zhǎng)晶爐設(shè)備領(lǐng)城龍頭）等。
